LOUPOWER蓄电池6-GFM-38 12V38AH/20HR机房UPS专用
LOUPOWER蓄电池技术特点
》贫液式设计，电池内的电解液全部被极板和超细玻璃纤维隔板吸附，电池内部无自由流动的电解液，在正常使用情况下无电解液漏出，侧倒90度安装也可正常使用。
》阀控密封式结构，当电池内气压偶尔偏高时，可通过安全阀的自动开启，泄掉压力，保证安全，内部产生可燃爆性气体聚集少，达不到燃爆浓度，防爆性能。
免维护性能
》利用阴极吸收式密封免维护原理，气体密封复合效率超过95%，正常使用情况下失水极少，电池无需定期补液维护。
绿色环保
》正常充电下无酸雾，不污染机房环境、不腐蚀机房设备。
自放电小
》采用析气电位高的Pb-Ca-Sn合金，在20℃的干爽环境中放置半年，无需补电即可投入正常使用。
适用环境温度广
》－10℃～45℃可平稳运行。
耐大电流性能好St pocketwizard battery (Beijing) co., LTD
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》紧装配工艺，内阻小，可进行3倍容量的放电电流放电3分钟（≤24Ah允许7分钟以上持续放电至终止电压）或6倍容量的放电电流放电5秒，电池无异常。
寿命长
》由于采用高纯原材料及长寿命配方、电池组一致性控制工艺，NP系列电池组正常浮充设计寿命可达7～10年（≥38Ah）。
电池组一致性好
》不计成本的保证电池组中的每一个电池具有相对一致的特性，确保在投入使用后长期的放电一致性和浮充一致性，不出现个别落后电池而拖垮整组电池。
①从源头的板栅、涂膏量的重量和厚度开始控制；
②总装前再逐片极板称重分级（≥38Ah的电池），确保每个单体中活性物质的量的相对一致性；
③定量注酸，四充三放化成制度，均衡电池性能；
④下线前对电池进行放电，进行容量和开路电压的配组；
⑤≥38Ah的电池出库前的静置期检测，经过7～15天的“时间考验”，出库时再检，能有效检出下线时难以检出的极个别疑虑电池；
⑥出库时依据电池的开路电压和内阻进行二次配组
蓄电池售后服务；
一、 本公司提供的售后服务方式
1. 包换服务：包换期内的产品，若出现确因厂方原因造成的质量问题，用户可以到经销商处换新(外观损坏，作保修处理)。
2.保修服务：保修期内的产品，若出现质量问题，用户可到当地售后服务中心享受保修服务;当地无售后服务中心，用户可委托经销商进行保修服务。
3. 维修服务：维修期内的产品,若出现质量问题，用户可以到当地售后服务中心或委托经销商要求维修服务。
科华技术蓄电池（中国）有限公司硅太阳能电池是指以硅为基体材料的太阳能电池。早的硅太阳能电池是由于人们对将硅用于点接触整流器产生兴趣而出现的。锋利的金属接触对各种晶体的整流特性早在1874年就被发现。
在无线电技术的早期，这种晶体整流器在无线电接收设备中被广泛地用作检波器。但是随着热离子管的发展，这种晶体整流器除在超高频领域仍被使用外，已经被热离子管所代替。这种整流器典型的例子是钨在硅表面的点接触。这项技术促进了对硅纯度的改良，并且使得人们希望更进一步了解硅的性质。
硅太阳能电池和其他大多数硅电子器件相比，有其特殊的设计和材料要求。为了获得高能量转换效率，硅太阳能电池不仅需要几乎理想的硅表面钝化，而且体材料特性也必须具有均匀的高品质。这是因为一些波长的光必须在硅中传播几百微米才能被吸收，其产生的载流子还必须仍然能够被电池收集。
科华技术硅太阳能电池的分类
硅太阳能电池是以硅为基体材料的太阳能电池。按硅片厚度的不同，可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池。按材料的结晶形态，晶体硅太阳能电池有单晶硅（c－Si）和多晶硅（p－Si）太阳能电池两类；薄膜硅太阳能电池分为非晶硅（a－Si）薄膜太阳能电池、微晶硅（c－Si）太阳能电池和多晶硅（p－Si）薄膜太阳能电池三种矿森蓄电池（中国）有限公司。
1、单晶硅太阳能电池
单晶硅太阳能电池转换效率，技术也为成熟。在实验室里的转换效率为24．7％（理论光电转化效率为25％），规模生产时的效率为18％（截至2011年）。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多品硅薄膜和非晶硅薄膜作为单晶硅太阳能电池的替代产品。
2、多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池一般采用低等级的半导体多晶硅，或者专门为太阳能电池使用而生产的铸造多晶硅等材料。与单晶硅太阳能电池相比，多晶硅太阳能电池成本较低，而且转换效率与单晶硅太阳能电池比较接近，它是太阳能电池的主要产品之一。多晶硅太阳能电池硅片制造成本低，组件效率高，规模生产时的效率已达18％左右。多晶硅太阳能电池占据主流，除取决于此类电池的优异性能外，还在于其充足、廉价、无毒、无污染的硅原料来源，而近年来多晶硅成本的降低更将使多晶硅太阳能电池大行其道。
3、非晶硅薄膜太阳能电池
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，便于大规模生产，有极大的潜力。非晶态硅，其原子结构不像晶体硅那样排列得有规则，而是一种不定形晶体结构的半导体。非晶硅属于直接带系材料，对阳光吸收系数高，只需要1μm厚的薄膜就可以吸收80％的阳光。非晶硅薄膜太阳能电池于1976年问世，南于硅原料不足和价格上涨，促进了高效使用硅的技术和非晶硅薄膜系太阳能电池的开发。非晶硅薄膜电池低廉的成本弥补了其在光电转换效率上的不足。但是南于非晶硅缺陷较多，制备的太阳能电池效率偏低，且受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。
微晶硅（μc－Si）薄膜太阳能电池同样由于光电效率衰退效应致使其性能不稳定。发展受到一定的限制。